SiGe HBT Device Expert

담당업무

• 차세대 BiCMOS SiGeC 기술을 위한 신규 공정 및 부품 개발

• TCAD 공정·소자 시뮬레이션과 HF 시뮬레이션 수행

• 실험계획법, RF·DC 특성 분석 및 핵심 부품 데이터 분석

• 소자와 공정의 특성 분석 및 최적화를 통한 견고성·신뢰성·양산성 확보

• 공정 통합, 신뢰성, 패키징, 회로 설계 및 테스트 엔지니어와 협업

• 제품 그룹과 협력해 최종 소자 파라미터에 맞춘 BiCMOS 부품 성능 최적화

• 공정 플로우, 소자 설계, 모델링, 시뮬레이션, 신뢰성 등 개발 조직 간 업무 조율

• 복수 과제의 일정 관리, 기술 토론 주도 및 프로젝트 현황과 조치사항 공유

자격요건

• SiGe HBT 소자를 다루는 Device 또는 PI 엔지니어 전문 경력

• 소자 물리 및 반도체 소자 엔지니어링에 대한 높은 이해

• RF/mm-wave용 SiGe:C HBT 트랜지스터 개발 산업 경험

• 여러 조직 및 직무의 구성원과 협업할 수 있는 커뮤니케이션 역량

• 복수 과제를 병행하며 일정과 주요 마감 준수

우대사항

• EE 또는 Physics 박사학위

• 생산 공정에서 SiGe:C HBT 부품을 정의·개발·양산 적용한 실적

• 설계부터 제조·테스트까지 실리콘 소자 제조 경험

• BiCMOS 소자 기술에 대한 산업 프로젝트 경험

• SiGe HBT TCAD 공정·소자 시뮬레이션 또는 3D 필드 솔버 고주파 시뮬레이션 경험

• Cadence 레이아웃 및 회로 시뮬레이션 경험

• MATLAB, JMP 및 통계 소프트웨어 활용 능력

• 주요 내부·외부 이해관계자와 관계를 구축하고 결과를 추진하는 역량

보상과 복리후생

• 경쟁력 있는 급여 및 복리후생

• 직원과 가족의 생활 및 웰빙을 지원하는 복리후생

지원방법

• 해당 채용 공고에 지원

마감기한

상시채용