MOCVD GaN Process Development Engineer

담당업무

• MOCVD GaN 에피택시 단위공정 개발 및 공정 통합

• GaN 단위공정 정의, 레시피 개발, 재료·공정 특성화

• 계측 요구사항 및 공정 제어 설정

• 운영·제조 사양 및 문서 작성

• 공장 자동화 설정 조율 및 교육자료 작성

• 공정 플로우 및 통합 요구사항·사양 개발

• 실험계획법 설계 및 통계 데이터 분석

• 재료·장비 공급업체와 협업

• 소자 전기적 출력 데이터와 공정·재료 입력 데이터 상관분석

• 공정·계측 출력 데이터와 장비 입력 데이터 상관분석

• 동일 레시피를 사용하는 공정 장비 및 챔버 간 성능 정합

• 공정·통합·부품·신뢰성·테스트·제품 엔지니어와 협업

• 복수 과제의 일정 계획, 기술 논의 주도 및 프로젝트 진행상황 공유

자격요건

• MOCVD GaN 에피 성장 및 관련 반도체 재료·특성화·분석 경험

• 반도체 단위공정 개발 및 루프 통합 지식

• 반도체 제조 및 공정 이해

• GaN 및 반도체 소자 물리 지식

• SPC 기반 공정 제어 및 모니터링 지식

• 공정·장비 이슈 해결을 위한 문제 분할 역량

• 통계적 실험계획법 및 대규모 데이터 분석을 포함한 데이터 분석·문제 해결 역량

• 효과적인 일정 관리와 복수 과제의 마감 준수 능력

• 기술적 논의와 프로젝트 상태·조치사항을 명확히 전달하는 커뮤니케이션 역량

• 다양한 조직 및 이해관계자와 협업하는 역량

우대사항

• Chemical Engineering, Materials Science, Chemistry, Physics 또는 Electrical Engineering 박사 학위

• III-V HEMT 소자 물리, 재료 및 공정 지식

• 머신러닝 및 AI 활용 경험

• Power HEMT 또는 RF GaN용 GaN 에피 성장 경험

• 강한 영어 구두·서면 커뮤니케이션 역량

• 팀 협업 및 핵심 이해관계자와의 협업 역량

• 변화가 빠른 환경에서 우선순위 변화에 대응하는 역량

• 주도적으로 결과를 추진하는 역량

보상과 복리후생

경쟁력 있는 급여 및 국가별 복리후생 제공

접수방법

해당 채용 requisition에 지원서 제출

마감기한

상시채용