Principal Engineer - GaN Epitaxy Development

담당업무

• GaN 에피택셜 구조 설계: 버퍼층, 초격자, HEMT 구조 등

• MOCVD 기반 GaN 성장 레시피 개발 및 공정 최적화

• R&D 에피택셜 공정의 파일럿 테스트 및 고수율·대량 제조 전환

• 결함 밀도, 웨이퍼 응력, 층 균일성 등 제조성 이슈 해결

• DOE와 SPC를 활용한 공정 모니터링 및 개선

• SEM, TEM, AFM, XRD 등 특성 분석 데이터와 최종 소자 성능 간 상관관계 분석

• 소재·장비 투자 관련 기술 로드맵 수립 및 경영진 자문

• 주니어 및 시니어 엔지니어 멘토링과 기술 표준 수립

• 소자 설계, 공정 통합, 고장 분석 팀과의 협업 및 문제 해결

자격요건

• III-V 헤테로 에피택시 및 GaN 성장 중심의 반도체 R&D·제조 경험

• Aixtron, Veeco 등 MOCVD 반응기 운용 및 GaN-on-Silicon 또는 GaN-on-Sapphire 공정 전문성

• 실험실 규모 R&D부터 파일럿 테스트, 대량 생산까지 에피택셜 공정 확대한 경험

• 파워 HEMT, RF 또는 포토닉스용 GaN 층 구조 및 성장 레시피 설계 역량

• XRD, AFM, TEM, PL, Ellipsometry, SIMS 등 계측·분석 도구 활용 역량

• JMP 또는 데이터 과학 도구를 활용한 SPC, DOE, 수율 최적화 역량

• 제품 기술 로드맵과 조직 전략에 영향을 주는 기술 전문성

• 주니어 및 스태프 엔지니어 멘토링 역량

• 디바이스 설계자, 팹 공정 엔지니어, 사업 이해관계자 등 글로벌 크로스펑션 조직과의 협업 경험

근무환경

• 글로벌 크로스펑션 팀 협업

• 기술 역량 강화를 위한 멘토링 문화

• 신뢰, 개방성, 존중과 포용을 중시하는 업무 환경

• 다양성과 포용성을 바탕으로 한 균등한 기회

마감기한

상시채용