Principal Process Engineer - DRAM and Memory Applications

담당업무

• ALD, PEALD, Epitaxy, PECVD 기반 DRAM 및 차세대 메모리용 증착 공정 개발·최적화

• 고유전율 유전체, 커패시터 재료, 금속 전극, 배리어층, 도전막 및 신흥 메모리 재료 공정 혁신

• 커패시터 형성, 매립형 워드라인, 고종횡비 구조 및 첨단 패터닝 등 DRAM 스케일링 과제 해결

• 메모리 기술 동향과 로드맵 분석을 통한 공정 기회 및 기술 요구사항 발굴

• 과학적 방법론, 통계 분석, DOE 및 RSM을 활용한 기술 문제 해결과 실험 설계·수행

• 전기적·물리적·재료 특성 분석 데이터 해석 및 박막 특성과 소자 성능 분석

• 장비·공정 문제의 실험 기반 문제 해결 및 근본 원인 분석

• 고객 요구사항 정의, 공정 시연 및 메모리 통합 과제 해결을 위한 공정 솔루션 개발

• 차세대 메모리 소자 구조에 첨단 재료를 통합하는 방법 및 기법 개발

• 제품 이전, 고객 시연, 현장 교육 및 공정 문서화 지원

• 기술 논문 발표, 업계 학회 발표 및 특허 포트폴리오 기여

• 엔지니어 멘토링과 메모리 개발 프로그램 기술 리더십 제공, 필요 시 기술 인력 지도

자격요건 및 필요 역량

• ALD, PEALD, CVD, PECVD, Epitaxy, 산화 및 어닐링 등 박막 증착 기술 전문성

• DRAM, NAND 또는 신흥 메모리 소자 개발·통합 경험

• 고유전율 유전체, 금속 전극, 도전막, 배리어 재료 및 커패시터 기술 이해

• 첨단 메모리 응용 분야의 반도체 공정 통합 및 재료 공학 이해

• XPS, SIMS, RBS, AFM, XRR, XRD, TEM, SEM, 타원계측 등 재료 분석 기법 경험

• 전기적 특성 분석 기법 및 메모리 소자 성능 지표에 대한 이해

• 메모리 소자 구조, 제조 흐름 및 스케일링 과제에 대한 깊은 이해

• 복잡한 공정 개발 프로젝트의 기술 방향, 일정, 예산 및 자원 계획을 독립적으로 이끌 역량

• 반응기 설계, 공정 조건과 박막 특성 사이의 관계에 대한 지식

• 첨단 실험 방법과 기초 원리를 활용한 증착 공정 개발 및 특성 분석 역량

• HRTEM, FESEM, Auger, Raman 등 재료 분석 기법 전문성

• 고객·업계 파트너·경영진에게 기술 내용을 전달하는 구두·문서 소통 능력

• 고객 협업, 기술 리더십, 기술 논문 및 특허 실적

우대사항

• 대량 생산 환경을 위한 첨단 메모리 공정 개발 지원 경험

• 전산유체역학(CFD) 교육 또는 실무 경험

• DRAM 커패시터의 고유전율 재료 및 금속 전극 개발 경험

• 매립형 워드라인(BWL) 통합 경험

• 고종횡비 증착 및 갭필 응용 경험

• ZrO₂, HfO₂, Al₂O₃ 등 커패시터 유전체 및 관련 적층 구조 경험

• 첨단 패터닝 및 자기 정렬 통합 방식 경험

• MRAM, ReRAM, PCM 또는 3D DRAM 등 신흥 메모리 기술 경험

• Micron, Samsung, SK hynix, Kioxia, Western Digital, YMTC 또는 CXMT 등 메모리 제조사 지원 경험

지원 안내

온라인 지원

채용 안내

인종, 피부색, 종교, 연령, 국적, 성적 지향, 성별, 결혼 여부, 임신, 장애, 유전 정보, 재향군인 지위 등 법률상 보호되는 특성에 따른 차별 없이 지원자를 검토

마감기한

상시채용