IGBT 소자 및 공정개발

주요업무

• 전력반도체 IGBT Cell 및 Ring Design 설계

• 소자 특성평가와 구조 검증을 위한 Test Pattern 설계 및 Layout

• Front-side 및 Back-side Full Process Integration 공정 개발

• 개발 소자의 Static 및 Dynamic Test 수행

• 전기적 특성 측정 및 분석(Characterization)

자격요건

• Power Device 및 제품개발 경험

• TCAD 활용 역량

• 반도체 선행개발·소자연구·공정연구·시뮬레이션 관련 전문성

우대사항

• 소자 Design 경험

• Process Set-up 경험

보상 및 복리후생

• 연봉 협의

• 성과급

• 복지포인트 연 200만원

• 사내기금 주택임차대출 1% 이자율 및 최대 0.6억원

• 안식휴가 및 휴가비 지원

• 리프레시 데이 월중휴무

• 기숙사 제공

• 통근버스 제공

• 사내식당 및 카페

• 사내 어린이집 운영

• 자녀 학자금 지원

• 경조사비 지원

• 종합건강검진 지원

• 건강관리실 및 상담실 운영

• 콘도 및 리조트 회원가 할인

• 사내 체육시설 운영

전형절차

1. 서류 전형

2. 면접전형

3. 처우 협의

4. 입사 확정

근무환경

• 유연근무제

• 점심 제공

• 저녁 제공

• 반반차 제도

• 리프레시 휴가

• 장기근속 포상

마감기한

2026년 9월 3일 23:30까지